PROGRAM PAGE (80h-10h) 命令详解

PROGRAM PAGE (80h-10h) 命令允许主机将数据输入到缓存寄存器，并将数据从缓存寄存器传输至指定的块（Block）和页（Page）地址 LUN的闪存阵列中。

执行条件：仅当LUN处于就绪状态（RDY=1, ARDY=1）时，该命令才会被接受。

TLC编程要求：必须严格遵循下页（Lower Page）→上页（Upper Page）→ 额外页（eXtra Page）的顺序进行编程：

  1. 发送 PROGRAM PAGE (80h-10h) 输入下页数据 → 等待 tPBSY
  2. 发送 PROGRAM PAGE (80h-10h) 输入上页数据 → 等待 tPBSY
  3. 发送 PROGRAM PAGE (80h-10h) 输入额外页数据 → 等待 tPROG

PROGRAM PAGE (80h-10h)

PROGRAM PAGE MULTI-PLANE (80h-11h)

PROGRAM PAGE CACHE (80h-15h)

[80h-11h] → [地址/数据输入] → [80h-15h] → [数据输入] → [10h确认]

READ PAGE(00h-30h) 命令详解​

从NAND闪存阵列中读取​​单页数据​​至缓存寄存器，并​​启用该缓存寄存器的数据输出​​。

执行条件：LUN 需处于就绪状态（RDY=1, ARDY=1）。

To read a page from the NAND Flash array, issue 00h to the command register, then write the required address cycles to the address register, and conclude with 30h command. The selected die (LUN) will go busy (RDY = 0, ARDY = 0) for tR as data is transferred.

可以看到分析仪上READ PAGE的信号是：00h → [6地址周期] → 30h

Erase Operations

擦除操作是NAND闪存管理的关键环节，用于将指定块（Block）的所有存储单元重置为"1"状态，为后续编程操作做准备。擦除操作以块为最小单位执行，无法单独擦除单个页（Page）。

单块擦除操作（ERASE BLOCK 60h-D0h）​

可以看到分析仪上ERASE BLOCK的信号是：60h → [4地址周期] → D0h

ERASE BLOCK (60h-D0h)：

  1. 60h:此时cle拉高，发送60h命令；
  2. 00h，00h，02h，00h：接着cle拉低，ale拉高，发送4个 address (00，00，02，00)；
  3. D0h:此时cle拉高，发送D0命令，从 60h 到 D0h 表示单块擦除操作；
  4. 在这个过程中，CE处于拉低的状态；

多平面擦除操作（ERASE BLOCK MULTI-PLANE 60h-D1h）​

[60h-D1h] → [平面A地址] → [60h-D1h] → [平面B地址] → 60h-D0h



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